An electro-optic device, such as an LCD, includes a display unit and a peripheral drive circuit unit on a single substrate. A gate comprising a gate electrode and gate insulation film is formed on a surface of the substrate. A layer of a substance having good lattice compatibility with monocrystalline silicon is formed over the gate insulation film. A layer of monocrystalline silicon is formed over the substance layer. Monocrystalline silicon is heteroepitaxially grown by catalytic CVD or the like using a crystalline sapphire film formed on the substrate to form the monocrystalline silicon layer. The monocrystalline silicon layer is used as a dual gate MOSTFT of the electro-optic device.

Electro-optic приспособление, such as lcd, вклюает блок индикации и периферийный блок цепи привода на одиночном субстрате. Строб состоя из пленки изоляции электрода строба и строба сформирован на поверхности субстрата. Слой вещества имея хорошую совместимость решетки с monocrystalline кремнием сформирован над пленкой изоляции строба. Слой monocrystalline кремния сформирован над слоем вещества. Monocrystalline кремний heteroepitaxially растется каталитическим cvd или подобием использующ кристаллическую пленку сапфира сформированную на субстрате для того чтобы сформировать monocrystalline слой кремния. Monocrystalline слой кремния использован как двойной строб MOSTFT electro-optic приспособления.