In the data read operation, a memory cell and a dummy memory cell are respectively coupled to two bit lines of a selected bit line pair, and a data read current is supplied thereto. In the selected memory cell column, a read gate drives the respective voltages on a read data bus pair, according to the respective voltages on the bit lines. A data read circuit amplifies the voltage difference between the read data buses so as to output read data. The use of the read gate enables the read data buses to be disconnected from a data read current path. As a result, respective voltage changes on the bit lines are rapidly produced, whereby the data read speed can be increased.

In de gegevens gelezen verrichting, worden een geheugencel en een proefgeheugencel respectievelijk gekoppeld aan twee beetjeslijnen van een geselecteerd paar van de beetjelijn, en een gegevens gelezen stroom wordt daaraan geleverd. In de geselecteerde kolom van de geheugencel, drijft een gelezen poort de respectieve voltages op een gelezen paar van de gegevensbus, volgens de respectieve voltages op de beetjelijnen. Een gegevens gelezen kring vergroot het voltageverschil tussen de gelezen gelezen gegevens van gegevensbussen om output. Het gebruik van de gelezen poort laat dat de gelezen gegevensbussen toe worden losgemaakt van een gegevens gelezen huidige weg. Dientengevolge, worden de respectieve voltageveranderingen op de beetjelijnen snel veroorzaakt, waardoor de gegevens gelezen snelheid kunnen worden verhoogd.