The present invention provides for a high quality Group III-V compound semiconductor, a method of manufacturing the same, and a light emitting element with an excellent emission characteristic which incorporates such a Group III-V compound semiconductor. The Group III-V compound semiconductor has a structure in which a fifth-layer, which is formed by a Group III-V compound semiconductor which is expressed by a general formula Ga.sub.a Al.sub.b N (a+b=1, 0.ltoreq.a.ltoreq.1, 0.ltoreq.b.ltoreq.1), a fourth-layer having a lower impurity concentration, which is formed by a Group III-V compound semiconductor which is expressed by a general formula Ga.sub.a' Al.sub.b' N (a'+b'=1, 0.ltoreq.a'.ltoreq.1, 0.ltoreq.b'.ltoreq.1), and a first-layer, which is formed by a Group III-V compound semiconductor which is expressed by a general formula In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z N (x+y+z=1, 0 Η παρούσα εφεύρεση προβλέπει για μια υψηλής ποιότητας ομάδα IIIV το σύνθετο ημιαγωγό, μια μέθοδο το ίδιο πράγμα, και ένα ελαφρύ εκπέμποντας στοιχείο με ένα άριστο χαρακτηριστικό εκπομπής που ενσωματώνει μια τέτοια ομάδα IIIV σύνθετος ημιαγωγός. Η ομάδα IIIV σύνθετος ημιαγωγός έχει μια δομή στην οποία ένα βάζω- fifth-layer, που διαμορφώνεται από μια ομάδα IIIV το σύνθετο ημιαγωγό που εκφράζεται από έναν γενικό τύπο Ga.sub.a Al.sub.b ν (a+b=1, 0.ltoreq.a.ltoreq.1, 0.ltoreq.b.ltoreq.1), ένα τέταρτος-στρώμα που έχει μια χαμηλότερη συγκέντρωση ακαθαρσιών, που διαμορφώνονται από μια ομάδα IIIV το σύνθετο ημιαγωγό που εκφράζεται από έναν γενικό τύπο Ga.sub.a "Al.sub.b" ν (a'+b'=1, 0.ltoreq.a'.ltoreq.1, 0.ltoreq.b'.ltoreq.1), και ένα πρώτος-στρώμα, που διαμορφώνεται από μια ομάδα IIIV το σύνθετο ημιαγωγό που εκφράζεται από έναν γενικό τύπο In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z ν (x+y+z=1, 0

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Low resistance magnetic tunnel junction device with bilayer or multilayer tunnel barrier

> Apparatus and method for microwave hyperthermia and acupuncture

> (none)

~ 00027