A process for the preparation of cobalt disilicide films comprises chemical vapor deposition (CVD) of cobalt from cobalt tricarbonyl nitrosyl as cobalt source precursor, capping the cobalt layer and annealing to form epitaxial cobalt disilicide on the silicon substrate.

Un procédé pour la préparation des films de disiliciure de cobalt comporte la déposition en phase vapeur (CVD) du cobalt du nitrosyle de tricarbonyl de cobalt en tant que précurseur de source de cobalt, couvrant la couche de cobalt et la recuisant pour former le disiliciure épitaxial de cobalt sur le substrat de silicium.