A semiconductor storage device controls crosstalk of write data to read data during reading and writing operations performed in the same cycle. The device has a plurality of word lines WL, a plurality of bit lines LBL, memory cells CELL which are connected to the word lines and the bit lines, reading global bit lines RGBL connected to a sense amplifier SA and writing global bit lines WBGL connected to a write amplifier WA. A selection circuit YSWn selectively connects the reading and writing global bit lines with the local bit lines. For first and second writing global bit lines arranged between first and second reading global bit lines, a distance between the first writing global bit line and the first reading global bit line, or a distance between the second writing global bit line and the second reading global bit line being is longer than a distance between the first and second writing global bit lines. Alternatively, the writing and reading global bit lines are formed in different wiring layers in the substrate of the device.

Помеха управлениями запоминающего устройства полупроводника пишет данные к прочитанным данным во время деятельностей чтения и сочинительства выполненных в таком же цикле. Приспособление имеет множественность линий wl слова, множественность бита выравнивает LBL, КЛЕТКУ ячейкы памяти которые соединены к линиям слова и линиям бита, читая гловальные линии RGBL бита соединенные к усилитель sa чувства и писать гловальные линии WBGL бита соединенные к усилителю WA писания. Цепь выбора YSWn селективно соединяет линии бита чтения и сочинительства гловальные с местными линиями бита. Для сперва и линии бита второго сочинительства гловальные аранжировали сперва и бит второго чтение гловальный выравнивается, расстояние между линией бита первого сочинительства гловальной и линией бита первого чтение гловальной, или расстояние между линией бита второго сочинительства гловальной и линией бита второго чтение гловальной более длинне чем расстояние между линиями бита первым и вторым сочинительством гловальными. Друг, сочинительство и линии бита чтения гловальные сформированы в по-разному слоях проводки в субстрате приспособления.