This invention provides a very sensitive optical attenuator, which can be
used to couple and attenuate optical signals between optical fibers with a
wide range of attenuation level. Such an optical attenuator includes a
flexible conductive membrane to be moved by an external force, such as
electrostatic force, to achieve deformation of the conductive membrane.
The conductive membrane can be formed, for example, by a vacuum deposited
silicon nitride film. A thin metallic, conductive layer is then deposited
on the flexible membrane to form a reflective mirror to receive and
reflect incident optical signals. The semiconductor structure includes one
or more spacing posts, with which the first structural member is to be
joined and bonded. Electrodes are placed on the semiconductor structure in
close proximity to the flexible membrane. At various areas of the
semiconductor structure, additional spacing posts are added to cause
deformation of the conductive membrane when a voltage is applied between
the membrane and the electrodes on the semiconductor structure.
Diese Erfindung liefert einen sehr empfindlichen optischen Abschwächer, der benutzt werden kann, um optische Signale zwischen optischen Fasern mit einer breiten Strecke des Dämpfungspegels zu verbinden und zu vermindern. Solch ein optischer Abschwächer schließt eine flexible leitende mit ein, um Deformation durch eine externe Kraft, wie elektrostatische Kraft verschoben zu werden Membrane, der leitenden Membrane zu erzielen. Die leitende Membrane kann z.B. durch einen Vakuum niedergelegten Silikonnitridfilm gebildet werden. Eine dünne metallische, leitende Schicht wird dann auf der flexiblen Membrane niedergelegt, um einen reflektierenden Spiegel zu bilden, um optische Signale des Ereignisses zu empfangen und zu reflektieren. Die Halbleiterstruktur schließt einen oder mehr Abstandpfosten ein, mit denen das erste strukturelle Mitglied verbunden werden und abgebunden werden soll. Elektroden werden auf die Halbleiterstruktur in nahe Nähe zur flexiblen Membrane gelegt. An den verschiedenen Bereichen der Halbleiterstruktur, werden zusätzliche Abstandpfosten Ursache Deformation der leitenden Membrane hinzugefügt, wenn eine Spannung zwischen der Membrane und den Elektroden auf der Halbleiterstruktur angewendet wird.
