Novel Group II metal MOCVD precursor compositions are described having utility for MOCVD of the corresponding Group II metal-containing films. The complexes are Group II metal .beta.-diketonate Lewis base adducts having ligands such as: (i) amines bearing terminal NH.sub.2 groups; (ii) imine ligands formed as amine (i)/carbonyl reaction products; (iii) combination of two or more of the foregoing ligands (i)-(ii), and (iv) combination of one or more of the foregoing ligands (i)-(ii) with one or more other ligands or solvents. The source reagent complexes of barium and strontium are usefully employed in the formation of barium strontium titanate and other Group II doped thin-films on substrates for microelectronic device applications, such as integrated circuits, ferroelectric memories, switches, radiation detectors, thin-film capacitors, microelectromechanical structures (MEMS) and holographic storage media.

Η νέα ομάδα ΙΙ συνθέσεις προδρόμων MOCVD μετάλλων περιγράφεται έχοντας τη χρησιμότητα για το MOCVD της αντίστοιχης ομάδας ΙΙ μέταλλο-που περιέχει τις ταινίες. Τα συγκροτήματα είναι ομάδα ΙΙ συμπλέγματα βάσεων Lewis μετάλλων ψετα.-δηκετονατε που έχουν ligands όπως: (ι) αμίνες που αντέχουν τις τελικές ομάδες NH.sub.2 (II) ιμίνη ligands που διαμορφώνεται ως αμίνη (ι)/προϊόντα αντίδρασης καρβονυλίων (III) συνδυασμός δύο ή περισσότεροι των προηγούμενων ligands (i)- (ΙΙ), και (iv) συνδυασμός ένα ή περισσότερα από τα προηγούμενα ligands (i)- (ΙΙ) με έναν ή περισσότερους άλλους ligands ή διαλύτες. Τα συγκροτήματα αντιδραστηρίων πηγής του βάριου και του στροντίου υιοθετούνται ωφέλιμα στο σχηματισμό titanate και άλλης ομάδας ΙΙ στροντίου βάριου τις ναρκωμένες λεπτός-ταινίες στα υποστρώματα για τις μικροηλεκτρονικές εφαρμογές συσκευών, όπως τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, οι σιδηροηλεκτρικές μνήμες, οι διακόπτες, οι ανιχνευτές ακτινοβολίας, οι λεπτοί πυκνωτές, οι microelectromechanical δομές (MEMS) και τα ολογραφικά μέσα απομνημόνευσης.