A memory cell includes a charge amplifier having a gate adjacent to a channel region coupling source and drain regions, a digitline coupled to one of the source and drain regions, a ground lead coupled to the other of the source and drain regions, a ferroelectric capacitor coupled to the gate, and a wordline coupled to the ferroelectric capacitor. Advantageously, the charge amplifier can be a CMOS transistor. Preferably, the gate is coupled to the ferroelectric capacitor by polysilicon, the junction formed at the gate has an intrinsic capacitance, and the capacitance of the ferroelectric capacitor is based on the magnitude of the intrinsic capacitance. Alternatively, the gate is coupled to the ferroelectric capacitor by polysilicon, the junction formed at the gate has an intrinsic capacitance, and the physical size of the ferroelectric capacitor is based on the magnitude of the intrinsic capacitance. In this case, the thickness of a ferroelectric material layer in the ferroelectric capacitor can be based on the magnitude of the intrinsic capacitance. A memory cell array, a memory module, and a processor based system can all be fabricated from this memory cell. Methods for reading data out of and writing data into the memory cell are also described.

Ένα κύτταρο μνήμης περιλαμβάνει έναν ενισχυτή δαπανών που έχει μια πύλη δίπλα στις περιοχές μιας καναλιών περιοχών συζεύξεων πηγής και αγωγών, ένα digitline συνδεμένων με μια από τις περιοχές πηγής και αγωγών, ένα επίγειο προβάδισμα συνδεμένων με άλλη των περιοχών πηγής και αγωγών, έναν σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή συνδεμένων με την πύλη, και ένα wordline συνδεμένο με το σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή. Ευνοϊκά, ο ενισχυτής δαπανών μπορεί να είναι μια κρυσταλλολυχνία CMOS. Κατά προτίμηση, η πύλη συνδέεται με το σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή από το πολυπυρίτιο, η σύνδεση που διαμορφώνεται στην πύλη έχει μια εγγενή ικανότητα, και η ικανότητα του σιδηροηλεκτρικού πυκνωτή είναι βασισμένη στο μέγεθος της εγγενούς ικανότητας. Εναλλακτικά, η πύλη συνδέεται με το σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή από το πολυπυρίτιο, η σύνδεση που διαμορφώνεται στην πύλη έχει μια εγγενή ικανότητα, και το φυσικό μέγεθος του σιδηροηλεκτρικού πυκνωτή είναι βασισμένο στο μέγεθος της εγγενούς ικανότητας. Σε αυτήν την περίπτωση, το πάχος ενός σιδηροηλεκτρικού υλικού στρώματος στο σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή μπορεί να βασιστεί στο μέγεθος της εγγενούς ικανότητας. Μια σειρά κυττάρων μνήμης, μια ενότητα μνήμης, και ένα βασισμένο στον επεξεργαστή σύστημα μπορούν όλα να κατασκευαστούν από αυτό το κύτταρο μνήμης. Οι μέθοδοι για τα στοιχεία από και τα στοιχεία γραψίματος στο κύτταρο μνήμης περιγράφονται επίσης.