The invention describes methods for locating a treatment device disposed within a living body by means of magnetic fields that are produced by Barkhausen jumps, principally from amorphous tag wires with high permeability that exhibit reentrant flux reversal. When wires of this type are attached to concealed treatment devices such as catheters, interrogation or scanning of the tag wire by a low frequency ac magnetic field affords an accurate means for locating the treatment devices using a sensor coil to detect the magnetic field signal from the wire locating tag. The strength of the field detected by the position of a sensor coil with respect to the locator tag is used to determine the location of the tag. A favorable signal to noise detection ration is obtained as the signal emitted by the wire is at a very high frequency compared to that of the frequency of the interrogation field.

Die Erfindung beschreibt Methoden für das Lokalisieren einer Behandlungvorrichtung, die innerhalb eines lebenden Körpers mittels magnetischer abgeschaffen wird, auffängt, die durch Barkhausen Sprünge produziert werden, hauptsächlich von den formlosen Umbauleitungen mit hoher Permeabilität, die einspringende Flußumlenkung ausstellen. Wenn Leitungen dieser Art zu verborgenen Behandlungvorrichtungen wie Kathetern angebracht werden, fangen Befragung oder Abtastung der Umbauleitung durch einen Niederfrequenzwechselstrom, der magnetisch ist, sich leistet genaue Mittel für das Lokalisieren der Behandlungvorrichtungen mit einer Sensor-Spule, das magnetische zu ermitteln, Signal von der Leitung aufzufangen auf, die Umbau lokalisiert. Die Stärke auffangen, das durch die Position einer Sensor-Spule in Bezug auf den Verzeichnisumbau ermittelt wird, wird verwendet, um die Position des Umbaus festzustellen. Ein vorteilhaftes Signal noise Abfragung Zuteilung wird erhalten, während das Signal, das durch die Leitung ausgestrahlt wird, an einem sehr Hochfrequenz verglichen mit dem der Frequenz der Befragung auffangen ist.

 
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< Personal digital content system

> Discrete devices including EAPROM transistor and NVRAM memory cell with edge defined ferroelectric capacitance, methods for operating same, and apparatuses including same

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