A semiconductor device having improved metal line structure has a first dielectric layer formed on a semiconductor substrate, a metal film pattern formed on the first dielectric layer, an interface protection layer on the metal film pattern, and a second dielectric layer on the interface protection layer, wherein the second dielectric layer contains a reactive material, e.g., fluorine, which is prevented by the interface protection layer from diffusing to the metal film pattern and reacting with the metal in the metal film pattern to form a damage film, e.g., metal fluoride, which is a highly resistive material that, if formed on the semiconductor device, would reduce the reliability of the metal film pattern and thus reduce the reliability of the semiconductor device as a whole.

Een halfgeleiderapparaat dat de structuur van de metaallijn heeft heeft verbeterd een eerste diëlektrische laag die op een halfgeleidersubstraat wordt gevormd, een patroon van de metaalfilm dat op de eerste diëlektrische laag wordt gevormd, een laag van de interfacebescherming op het patroon van de metaalfilm, en een tweede diëlektrische laag op de laag van de interfacebescherming, waarin de tweede diëlektrische laag bevat een reactief materiaal, b.v., fluor, dat door de laag van de interfacebescherming het verspreiden aan het patroon van de metaalfilm en het reageren met het metaal in het patroon van de metaalfilm om een schadefilm te vormen wordt verhinderd, b.v., metaalfluoride, dat een hoogst weerstand biedend materiaal is, indien gevormd op halfgeleider het apparaat, de betrouwbaarheid waarvan zou verminderen e.g. halfgeleider apparaat als geheel.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Video output apparatus

> Method for fabricating ferroelectric thin film

> (none)

~ 00024