A method of ion implantation using oxygen backfill and a modified surface layer formed therefrom are provided. The method of ion implantation includes the steps of placing a substrate metal in an ion implantation vacuum chamber, introducing oxygen into the ion implantation vacuum chamber and directing a beam of ions at the substrate metal. The modified surface includes a substrate metal and implanted atoms at a surface of the substrate metal. The implanted atoms are integrated with the substrate metal. The substrate metal has an implanted atom concentration of at least 5 atomic % to a depth of over 250 .ANG..

Une méthode d'implantation ionique employant l'oxygène remblayent et une couche extérieure modifiée formée de là sont fournies. La méthode d'implantation ionique inclut les étapes de placer un métal de substrat dans une chambre de vide d'implantation ionique, présentant l'oxygène dans la chambre de vide d'implantation ionique et dirigeant un faisceau des ions au métal de substrat. La surface modifiée inclut un métal de substrat et des atomes implantés sur une surface du métal de substrat. Les atomes implantés sont intégrés avec le métal de substrat. Le métal de substrat a une concentration implantée en atome au moins de 5 % atomiques à une profondeur de plus de l'ANG. 250.