The present invention is directed to an improved electroplating method, chemistry, and apparatus for selectively depositing tin/lead solder bumps and other structures at a high deposition rate pursuant to manufacturing a microelectronic device from a workpiece, such as a semiconductor wafer. An apparatus for plating solder on a microelectronic workpiece in accordance with one aspect of the present invention comprises a reactor chamber containing an electroplating solution having free ions of tin and lead for plating onto the workpiece. A chemical delivery system is used to deliver the electroplating solution to the reactor chamber at a high flow rate. A workpiece support is used that includes a contact assembly for providing electroplating power to a surface at a side of the workpiece that is to be plated. The contact contacts the workpiece at a large plurality of discrete contact points that isolated from exposure to the electroplating solution. An anode, preferably a consumable anode, is spaced from the workpiece support within the reaction chamber and is in contact with the electroplating solution. In accordance with one embodiment the electroplating solution comprises a concentration of a lead compound, a concentration of a tin compound, water and methane sulfonic acid.

La actual invención se dirige a un método de electrochapado mejorado, química, y los aparatos para selectivamente depositar topetones de la soldadura de tin/lead y otras estructuras en una alta deposición clasifican conforme a fabricar un dispositivo microelectrónico de un objeto, tal como una oblea de semiconductor. Un aparato para la soldadura de la galjanoplastia en un objeto microelectrónico de acuerdo con un aspecto de la actual invención abarca un compartimiento del reactor que contiene una solución de electrochapado que tiene iones libres de la lata y del plomo para platear sobre el objeto. Un sistema químico de la entrega se utiliza para entregar la solución de electrochapado al compartimiento del reactor en un alto caudal. Se utiliza una ayuda del objeto que incluye un montaje del contacto para proporcionar energía de electrochapado a una superficie en un lado del objeto que debe ser plateado. El contacto entra en contacto con el objeto en una pluralidad grande de puntos de contacto discretos que aislaron de la exposición a la solución de electrochapado. Un ánodo, preferiblemente un ánodo consumible, se espacia de la ayuda del objeto dentro del compartimiento de la reacción y está en contacto con la solución de electrochapado. De acuerdo con una encarnación la solución de electrochapado abarca una concentración de un compuesto de plomo, una concentración de un compuesto de lata, el agua y el ácido sulfonic del metano.

 
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< Process for etching thin-film layers of a workpiece used to form microelectric circuits or components

< Seal configuration for use with a motor drive assembly in a microelectronic workpiece processing system

> Apparatus and method for processing the surface of a workpiece with ozone

> Methods and apparatus for controlling an amount of a chemical constituent of an electrochemical bath

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