A semiconductor device and process for making the same are disclosed which incorporate boron, which has been found to be substantially insoluble in BST, into a BST dielectric film 24. Dielectric film 24 is preferably disposed between electrodes 18 and 26 (which preferably have a Pt layer contacting the BST) to form a capacitive structure with a relatively high dielectric constant and relatively low leakage current. Boron included in a BST precursor may be used to form boron oxide in a second phase 30, which is distributed in boundary regions between BST crystals 28 in film 24. It is believed that the inclusion of boron allows for BST grains of a desired size to be formed at lower temperature, and also reduces the leakage current of the capacitive structure.

Um dispositivo e um processo de semicondutor para fazer o mesmo são divulgados que incorporam o boro, que foi encontrado para ser substancialmente insoluble no BST, em uma película dieléctrica 24 do BST. A película dieléctrica 24 é disposta preferivelmente entre os elétrodos 18 e 26 (que têm preferivelmente uma camada da pinta contatar o BST) dar forma a uma estrutura capacitiva com uma constante dieléctrica relativamente elevada e uma corrente relativamente baixa do escapamento. O boro incluído em um precursor do BST pode ser usado dar forma ao óxido do boro em uma segunda fase 30, que seja distribuída em regiões do limite entre os cristais 28 do BST na película 24. Acredita-se que o inclusion do boro permite grões do BST de um tamanho desejado para ser dado forma em uma temperatura mais baixa, e reduz-se também a corrente do escapamento da estrutura capacitiva.