A light emitting diode structure capable of use within a flat panel device with small thickness and large area size. In some embodiments, the LED structure is combined with phosphors to generate light of varying chrominance and luminance including white and other visible spectrum light, and may be used to provide either ambient or accent illumination. The flat panel light source comprises a first GaN cladding layer of a first conductance type, a second GaN cladding layer of a second conductance type formed on the first layer and having at least one window region formed on the first cladding layer, an In.sub.x Ga.sub.1-x N active layer and a third cladding layer of an opposite conduction type formed on the second cladding layer. One or more phosphor layers for converting light of a first wavelength to light of a second wavelength may be added to provide polychromatic emissions.

Eine lichtemittierende Diode Struktur fähig zum Gebrauch innerhalb einer flachen Verkleidung Vorrichtung mit kleiner Stärke und großer Bereich Größe. In einigen Verkörperungen wird die LED Struktur mit Phosphor kombiniert, um Licht des unterschiedlichen Farbtons und der Helligkeit einschließlich Weiß und anderes sichtbares Spektrumlicht zu erzeugen und kann verwendet werden, entweder umgebende oder Akzentablichtung zur Verfügung zu stellen. Die flache Instrumententafel-Leuchte Quelle enthält eine erste GaN Umhüllungschicht von einer ersten Leitfähigkeitart, eine zweite GaN Umhüllungschicht einer zweiten Leitfähigkeitart, die auf der ersten Schicht und Haben mindestens von von einer Fensterregion gebildet wird, die auf der ersten Umhüllungschicht, einer In.sub.x Ga.sub.1-x N aktiven Schicht und einer dritten Umhüllungschicht einer gegenüberliegenden Übertragung Art gebildet wird, die auf der zweiten Umhüllungschicht gebildet wird. Eine oder mehr Phosphorschichten für umwandelndes Licht einer ersten Wellenlänge zum Licht einer zweiten Wellenlänge können addiert werden, um polychromatic Emissionen zur Verfügung zu stellen.