The present invention is a mesoporous silica film having a low dielectric constant and method of making having the steps of combining a surfactant in a silica precursor solution, spin-coating a film from this solution mixture, forming a partially hydroxylated mesoporous film, and dehydroxylating the hydroxylated film to obtain the mesoporous film. It is advantageous that the small polyoxyethylene ether surfactants used in spin-coated films as described in the present invention will result in fine pores smaller on average than about 20 nm. The resulting mesoporous film has a dielectric constant less than 3, which is stable in moist air with a specific humidity. The present invention provides a method for superior control of film thickness and thickness uniformity over a coated wafer, and films with low dielectric constant.

La actual invención es una película mesoporous de la silicona que tiene una constante dieléctrica y un método de hacer bajos tener los pasos de combinar un surfactant en una solución del precursor de la silicona, de hacer girar-cubrir una película de esta mezcla de la solución, de formar una película mesoporous parcialmente hidroxilada, y de dehydroxylating la película hidroxilada para obtener la película mesoporous. Es ventajoso que los surfactants pequeños del éter del polyoxyethylene usados en películas hacer girar-revestidas según lo descrito en la actual invención darán lugar a los poros finos más pequeños en promedio que cerca de 20 nm. La película mesoporous que resulta tiene una constante dieléctrica menos de 3, que es estable en aire húmedo con una humedad específica. La actual invención proporciona un método para el control superior del espesor del film y de la uniformidad del grueso sobre una oblea revestida, y las películas de constante dieléctrica baja.