A polishing fluid comprising a distributed organic phase and a continuous aqueous phase, each phase comprising at least one complexing agent. The aqueous phase also having abrasive particles dispersed therein. Reaction products generated during polishing interact with the aqueous phase complexing agent to form water soluble metallic complexes, the water soluble metallic complexes diffuse to an organic/water interface where they release complexing agent molecules in the aqueous phase and generate metal ions which interact with the organic phase complexing agent to form organometallic complexes. Further disclosed is a polishing method, a semiconductor device and semiconductor device fabrication method utilizing the polishing fluid.

Un fluide de polissage comportant une phase organique distribuée et une phase aqueuse continue, chaque phase comportant au moins un agent complexant. La phase aqueuse ayant également les particules abrasives a dispersé là-dedans. Les produits de réaction produits pendant le polissage interactif avec l'agent complexant de phase aqueuse pour former les complexes métalliques hydrosolubles, les complexes métalliques hydrosolubles répandent à une interface d'organic/water où ils libèrent les molécules complexantes d'agent dans la phase aqueuse et produisent des ions en métal qui agissent l'un sur l'autre avec l'agent complexant de phase organique pour former les complexes organométalliques. Encore révélé est une méthode de polissage, une méthode de fabrication de dispositif de semi-conducteur et de dispositif de semi-conducteur utilisant le fluide de polissage.