The present invention relates to M-type microwave devices and is aimed to improve effectiveness of using a working surface of field-electron emitters, to improve their reliability while increasing stability of field emission and service life of the device. These objects are solved in the design of a M-type microwave device, comprising an anode encircling a cylindrical evacuated cavity and a cathode assembly disposed co-axially inside the anode, said cathode assembly comprising a cylindrical rod with its surfaces having elements in the form of planar (film) field-electron emitters and secondary-electron emitters that provide a primary and a secondary electron emission, respectively. In doing so, the normal to planar field-electron emitters is not parallel and makes therewith an angle of more than 0 degrees. An end-face of the field-electron emitter is protected by a tunnel-thin dielectric layer containing impurities of various materials and materials having a low work function.

Присытствыющий вымысел относит к приспособлениям микроволны М-tipa и направлен для того чтобы улучшить эффективность использования рабочей поверхности излучателей пол-3lektrona, улучшить их надежность пока увеличивающ стабилность излучения поля и ресурсы приспособления. Эти предметы разрешены в конструкции приспособления микроволны М-tipa, состоя из анода обводя цилиндрическую эвакуированную полость и агрегат катода размещанные коаксиально внутри анода, сказанного агрегата катода состоя из цилиндрической штанги при свои поверхности имея элементы in the form of плоскостные излучатели пол-3lektrona (пленки) и излучатели вторичн-3lektrona которые обеспечивают первичное и вторичное излучение электрона, соответственно. In doing so, нормальный к плоскостным излучателям пол-3lektrona не параллельн и не делает therewith угол больше чем 0 градусов. Конц-storona излучателя пол-3lektrona защищена тоннел-tonkim диэлектрическим слоем содержа примеси различных материалов и материалов имея низкую функцию работы.