For forming electrical interlayer contact in a semiconductor device, an insulating film is formed on a first electrically conductive layer and then a contact hole is formed in the insulating film to expose a part of the first electroconductive, an activated surface of the exposed part is formed in the contact hole, a gas containing an impurity component is supplied to form an impurity adsorption film on the activated surface, and the contact hole is filled with a second electrically conductive layer which electrically contacts the first layer through the contact hole.

Para formar el contacto eléctrico de la capa intermediaria en un dispositivo de semiconductor, una película aislador se forma en una primera eléctricamente capa conductora y entonces un agujero del contacto se forma en la película aislador para exponer una parte del primer electroconductor, una superficie activada de la parte expuesta se forma en el agujero del contacto, un gas que contiene un componente de la impureza se provee para formar una película de la adsorción de la impureza en la superficie activada, y el agujero del contacto se llena de una capa conductora del segundo eléctricamente que entre en contacto con eléctricamente la primera capa a través del agujero del contacto.

 
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