A semiconductor memory device has a silicon substrate 10. A first embedded layer 11 is formed in the silicon substrate 10 under a p-well 18 in an area below a region where a drain 36 of a driver transistor 30 is located. The first embedded layer 11 makes a junction with the p-well 18. Also, the first embedded layer 11 is formed below an n-well 16 and contacts the n-well 16. When the drain 36 of the driver transistor 30 is at a voltage of 3V, .alpha.-ray may pass through the p-well 18, the first embedded layer 11 and the silicon substrate 10. As a result, electron-hole pairs are cut. Due to the presence of the p-n junction that is formed by the p-well 18 and the first embedded layer 11, only electrons in the p-well 18 are drawn to the drain 36. As a result, a fall in the drain voltage of 3V is reduced. As a consequence, the device structure makes it difficult to destroy retained data.

Un dispositivo di memoria a semiconduttore ha un substrato 10 del silicone. Un primo strato incluso 11 è formato nel substrato 10 del silicone sotto un p-well 18 in una zona sotto una regione dove uno scolo 36 di un transistore di driver 30 è individuato. Il primo ha incluso le marche di strato 11 una giunzione con il p-well 18. Inoltre, il primo strato incluso 11 è formato sotto un n-well 16 e si mette in contatto con il n-well 16. Quando lo scolo 36 del transistore di driver 30 è ad una tensione di 3V, il alpha.-raggio può passare attraverso il p-well 18, il primo strato incluso 11 ed il substrato 10 del silicone. Di conseguenza, gli accoppiamenti del elettrone-foro sono tagliati. dovuto la presenza della giunzione di PN che è costituita dal p-well 18 ed il primo ha incluso lo strato 11, solo gli elettroni nel p-well 18 sono disegnati allo scolo 36. Di conseguenza, una caduta nella tensione dello scolo di 3V è ridotta. Di conseguenza, la struttura del dispositivo lo rende difficile distruggere i dati mantenuti.