A semiconductor photonic device has a Si substrate; a SiO.sub.2 film formed on the Si substrate; a ZnO film formed on the SiO.sub.2 film; and a semiconductor compound layer represented by In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z N (x+y+z=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1, 0.ltoreq.z.ltoreq.1) formed on the ZnO film.

Μια φωτονιακή συσκευή ημιαγωγών έχει ένα υπόστρωμα Si μια ταινία SiO.sub.2 που διαμορφώνεται στο υπόστρωμα Si μια ταινία ZnO που διαμορφώνεται στην ταινία SiO.sub.2 και ένα σύνθετο στρώμα ημιαγωγών που αντιπροσωπεύεται από In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z ν (x+y+z=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1, 0.ltoreq.z.ltoreq.1) διαμορφωμένος στην ταινία ZnO.