A method is described for cleaning freshly etched dual damascene via openings and preparing them for copper fill without damage or contamination of exposed organic or other porous low-k insulative layers. The method is entirely dry and does not expose the porous materials to contamination from moisture or solvents. The method is effective for removing all traces of residual polymer deposits from an in-process substrate wafers after via or damascene trench etching. The method employs an in-situ three-step treatment comprising a first step of exposing the electrically biased substrate wafer to a O.sub.2 /N.sub.2 ashing plasma to remove photoresist and polymers, a second step immediately following the first step of remove silicon nitride etch stop layers, and a final step of treating the wafer with H.sub.2 /N.sub.2 to remove copper polymer deposits formed during nitride removal. The H.sub.2 /N.sub.2 plasma is capable of removing the difficult polymer residues which are otherwise only removable by wet stripping procedures. The H.sub.2 /N.sub.2 plasma is not harmful to exposed porous low-k dielectric layers as well as copper metallurgy.

Un metodo è descritto per la pulitura del damascene doppio di recente inciso via le aperture e prepararle per il materiale di riempimento di rame senza danni o contaminazione di strati insulative bassi-K organici o altri porosi esposti. Il metodo è interamente asciutto e non espone i materiali porosi a contaminazione da umidità o dai solventi. Il metodo è efficace per la rimozione de tutte le tracce dei giacimenti residui del polimero dalle cialde del substrato di in-processo dopo via o acquaforte damascene della trincea. Il metodo impiega un trattamento in tre tappe in situ che contiene un primo punto esporre la cialda elettricamente influenzata del substrato ad un plasma d'incenerimento di O.sub.2 /N.sub.2 per rimuovere il photoresist ed i polimeri, un secondo punto subito dopo del primo punto di rimuovono gli strati di arresto incissione all'acquaforte del nitruro di silicio e un punto finale di trattare la cialda con H.sub.2 /N.sub.2 per rimuovere i giacimenti di rame del polimero formati durante la rimozione del nitruro. Il plasma di H.sub.2 /N.sub.2 è capace di rimozione dei residui difficili del polimero che sono al contrario soltanto smontabili dalle procedure mettenti a nudo bagnate. Il plasma di H.sub.2 /N.sub.2 non è nocivo agli strati dielettrici bassi-K porosi esposti così come metallurgia di rame.

 
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