An aqueous resist stripping composition contains (a) an oxidizing agent, (b) a chelating agent, (c) a water-soluble fluorine compound, and optionally (d) an organic solvent. Also provided is a process of stripping resist films and resist residues remaining after etching treatment utilizing the aqueous resist stripping composition. In the process, corrosion of semiconductor materials, circuit-forming materials, insulating films, etc. is minimized and the rinsing is sufficiently made with only water without needing organic solvent such as alcohol.

Ein wäßriges widerstehen abstreifendem Aufbau enthält (a) ein oxidierendes Mittel, (b) ein Cheliermittel, (c) ein wasserlösliches Fluormittel und beliebig (d) ein organisches Lösungsmittel. Auch gestellt ein Prozeß des Abstreifens widerstehen Filmen und widerstehen den Überresten zur Verfügung, die nach der Radierung Behandlung restlich sind, die das wäßrige verwendet, widerstehen abstreifendem Aufbau. Im Prozeß, in der Korrosion der Halbleitermaterialien, wird die Stromkreis-Formung der Materialien, der isolierenden Filme, des etc. herabgesetzt und das Ausspülen wird genug mit nur Wasser gebildet, ohne organisches Lösungsmittel wie Spiritus zu benötigen.