A composite wiring structure (10) for use with at least one semiconductor device (16). The composite wiring structure having a first conductive member (12) upon which the semiconductor device can be mounted for electrical connection thereto. A dielectric member (20), made of ceramic or organo-ceramic composite material, is bonded to the first conductive member (12) and contains embedded therein a conductive network (24) and a thermal distribution network (26). A second conductive member (32) may be incorporated with the composite wiring structure, with a capacitor (64) being electrically connected between the conductive network (24) and the second conductive member (32). Bonding between the dielectric member and the conductive members may be in the form of a direct covalent bond formed at a temperature insufficient to adversely effect the structural integrity of the conductive network and the thermal distribution network.

Составная структура проводки (10) для пользы с по крайней мере один прибора на полупроводниках (16). Составная структура проводки имея первый проводной член (12) на прибора на полупроводниках можно установить для электрического соединения к тому. Диэлектрический член (20), сделанный из керамического или органо-keramiceskogo составного материала, скреплен к первому проводному члену (12) и содержит после того как он врезан в этом проводной сети (24) и термально торгово-распределительнаяа сеть (26). Второй проводной член (32) может быть включен с составной структурой проводки, при конденсатор (64) электрически будучи соединянным между проводной сетью (24) и вторым проводным членом (32). Скреплять между диэлектрическим членом и проводными членами может быть in the form of сразу ковалентное скрепление сформированное на температуре недостаточной неблагоприятно для того чтобы произвести эффект целостность конструкции проводной сети и термально торгово-распределительнаяа сеть.