A semiconductor device has a semiconductor substrate having a peripheral circuit area and a memory cell area. A border region having a well of a first conductivity is formed between the peripheral circuit area and the memory cell area. A well of a second conductivity is formed in the peripheral circuit area. The well in the peripheral circuit area is in contact with the border region but not in contact with the memory cell area. Dummy transistors are formed in the border region. The dummy transistors are arranged with substantially the same transistor forming density as that of the memory cell area.

Ein Halbleiterelement hat ein Halbleitersubstrat, einen Zusatzstromkreisbereich und einen Speicherzelle Bereich zu haben. Eine Randregion, die gut einer ersten Leitfähigkeit hat, wird zwischen dem Zusatzstromkreisbereich und dem Speicherzelle Bereich gebildet. Gut von einer zweiten Leitfähigkeit wird im Zusatzstromkreisbereich gebildet. Der gut innen Zusatzstromkreisbereich ist in Verbindung mit der Randregion aber nicht in Verbindung mit dem Speicherzelle Bereich. Blinde Transistoren werden in der Randregion gebildet. Die blinden Transistoren werden mit im wesentlichen dem gleichen Transistor geordnet, der Dichte wie der des Speicherzelle Bereichs bildet.