Disclosed is a non-solvent method for reducing a dielectric constant of a dielectric film. The dielectric film, which can be formed on a substrate by a spin-on coating or a chemical vapor deposition (CVD), is placed in an atmosphere of an inert gas at a high pressure or in a supercritical fluid state, and then the pressure of the atmosphere is rapidly released to form nanopores on the surface of the dielectric film, whereby the dielectric constant thereof is reduced.

Αποκαλύπτεται μια non-solvent μέθοδος για μια διηλεκτρική σταθερά μιας διηλεκτρικής ταινίας. Η διηλεκτρική ταινία, που μπορεί να διαμορφωθεί σε ένα υπόστρωμα από μια περιστροφή-επάνω επένδυση ή μια απόθεση χημικού ατμού (cvd), τοποθετείται σε μια ατμόσφαιρα ενός αδρανούς αέριο σε μια υψηλή πίεση ή σε ένα εξαιρετικά κρίσιμο ρευστό κράτος, και έπειτα η πίεση της ατμόσφαιρας απελευθερώνεται γρήγορα για να διαμορφώσει nanopores στην επιφάνεια της διηλεκτρικής ταινίας, με το οποίο η διηλεκτρική σταθερά επ' αυτού μειώνεται.