A semiconductor chip is bonded on a radiator plate consisting of copper material with interposition of a bonding layer having a total thickness of 80 .mu.m comprising a laminated structure including a thermoplastic film bonding layer 12a having a thickness of 50 .mu.m and a paste-based bonding layer 12b having a thickness of 30 .mu.m. For example, butadiene-modified polyolefin-based adhesive resin mixed with alumina fine power is used as material of the thermoplastic film bonding layer 12a, and, for example, silicone rubber-modified epoxy-based adhesive resin mixed with silver powder is used as material of the paste-based bonding layer 12b. There is thus provided a semiconductor device having a semiconductor chip bonded on a radiator plate with interposition of a bonding layer, wherein stress concentration caused in the bonding layer is relaxed and heat dissipation performance is maintained and thus the reliability in endurance is high, and a method for manufacturing the semiconductor device.

Uma microplaqueta do semicondutor é ligada em um material de cobre consistindo da placa do radiador com interposition de uma camada da ligação que tem uma espessura total do mu.m 80 que compreende uma estrutura laminada including uma camada thermoplastic 12a da ligação da película que têm uma espessura do mu.m 50 e uma camada ligando-se pasta-baseada 12b que tem uma espessura do mu.m 30. Para o exemplo, a resina adesiva polyolefin-baseada butadiene-modificada misturada com o poder da multa do alumina é usada como o material da camada thermoplastic 12a da ligação da película, e, para o exemplo, o silicone borracha-modificado epoxy-baseou a resina adesiva misturada com o pó de prata é usado como o material da camada ligando-se pasta-baseada 12b. É fornecido assim um dispositivo de semicondutor que tem uma microplaqueta do semicondutor ligada em uma placa do radiador com o interposition de uma camada da ligação, wherein a concentração do stress causada na camada da ligação é relaxada e desempenho da dissipação de calor é mantido e assim a confiabilidade na resistência é elevada, e um método manufaturando o dispositivo de semicondutor.