A method and apparatus for reducing surface sensitivity of a TEOS/O.sub.3 SACVD silicon oxide layer, formed over a substrate, that deposits a ramp layer while ramping pressure to a target deposition pressure and deposits an SACVD layer over the ramp layer. In one embodiment, the flow of ozone is stopped during the pressure ramp-up to control the thickness of the ramp layer.

Eine Methode und ein Apparat für das Verringern der Oberflächenempfindlichkeit einer TEOS/O.sub.3 SACVD Silikon-Oxidschicht, gebildet über einem Substrat, das eine Rampe Schicht, beim Ramping Druck zu einem Zielabsetzungdruck und eine SACVD Schicht über der Rampe Schicht niederlegt niederlegt. In einer Verkörperung wird der Fluß des Ozons während der Druck Rampe-oben gestoppt, um die Stärke der Rampe Schicht zu steuern.