A sense amplifier applies an operating potential to a selected bit line and an equal potential to a subset of unselected lines during a read operation on a memory cell in a resistive cross point array of an information storage device. Before a resistance state of the selected memory cell is sensed, however, an input of the sense amplifier is forced to a known, consistent condition. The sense amplifier input may be forced to the known, consistent condition by pulling up the input to an array voltage.

Um amplificador do sentido aplica um potencial operando-se a uma linha selecionada do bocado e um potencial igual a um subconjunto de linhas unselected durante uma operação lida em uma pilha de memória em uma disposição resistive do ponto transversal de um dispositivo de armazenamento da informação. Antes que um estado da resistência da pilha de memória selecionada esteja detetado, entretanto, uma entrada do amplificador do sentido está forçada a uma condição sabida, consistente. A entrada do amplificador do sentido pode ser forçada à condição sabida, consistente puxando para cima a entrada para uma tensão da disposição.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Nonvolatile ferroelectric memory device with column redundancy circuit and method for relieving failed address thereof

> Nitride-compound semiconductor device

> (none)

~ 00020