A compound semiconductor light emitting element includes a light emitting region formed by a pn-junction between a first compound semiconductor layer of a first conductivity type and a second compound semiconductor layer of a second conductivity type. A first electrode is connected to the first compound semiconductor layer and is isolated from the second compound semiconductor layer. A current spreading layer is formed on the second compound semiconductor layer and a block is formed on the second compound semiconductor layer. A second electrode is formed on the block and is connected to the current spreading layer.

Ένα σύνθετο ελαφρύ εκπέμποντας στοιχείο ημιαγωγών περιλαμβάνει μια ελαφριά εκπέμποντας περιοχή που διαμορφώνεται από μια PN-SY'NDESI μεταξύ ενός πρώτου σύνθετου στρώματος ημιαγωγών ενός πρώτου τύπου αγωγιμότητας και ενός δεύτερου σύνθετου στρώματος ημιαγωγών ενός δεύτερου τύπου αγωγιμότητας. Ένα πρώτο ηλεκτρόδιο συνδέεται με το πρώτο σύνθετο στρώμα ημιαγωγών και είναι απομονωμένο από το δεύτερο σύνθετο στρώμα ημιαγωγών. Ένα τρέχον διαδίδοντας στρώμα διαμορφώνεται στο δεύτερο σύνθετο στρώμα ημιαγωγών και ένας φραγμός διαμορφώνεται στο δεύτερο σύνθετο στρώμα ημιαγωγών. Ένα δεύτερο ηλεκτρόδιο διαμορφώνεται στο φραγμό και συνδέεται με το τρέχον διαδίδοντας στρώμα.