A Magnetic Random Access Memory ("MRAM") device includes an array of memory cells. The device generates reference signals that can be used to determine the resistance states of each memory cell in the array, despite variations in resistance due to manufacturing tolerances and other factors such as temperature gradients across the array, electromagnetic interference and aging.

Eine magnetische Vorrichtung des RAMS ("MRAM") schließt eine Reihe Speicherzellen ein. Die Vorrichtung erzeugt Bezugssignale, die benutzt werden können, um die Widerstand Zustände jeder Speicherzelle in der Reihe festzustellen, trotz der Schwankungen des Widerstandes wegen der Herstellung Toleranzen und anderer Faktoren wie Temperatursteigungen über der Reihe, der elektromagnetischen Störung und dem Altern.