The present invention is directed to the synthesis, processing and test of improved spin-on precursor materials comprising at least one Group II metal and at least one Group IV or Group V metal, useful for making thin oxide films, useful, for example, in various electronic devices, such as ferroelectric devices. For example, barium strontium titanate spin-on precursor materials are useful for making thin films of barium strontium titanate (BST) for, e.g., ferroelectric capacitors. A method is provided for fabricating electronic devices employing such Group II-Group IV (or V) oxides as the active device, using polyether acids. The method comprises: (a) providing a substrate; (b) forming a bottom electrode on the substrate; (c) depositing a solution comprising polyether acid salts of the Group II and Group IV or Group V metal ions; (d) forming the oxide film from the solution; and (e) forming a top electrode on the oxide film. As a consequence of the method, improved electronic devices are formed from less toxic and easier handled precursors and solvents. The present invention provides for a soluble spin-on precursor which is compatible and soluble in non-toxic and environmentally benign solvents. In addition, this spin-on precursor material has been shown to give much improved electrical performance properties of the BST thin films produced.

Η παρούσα εφεύρεση κατευθύνεται στη σύνθεση, την επεξεργασία και τη δοκιμή βελτιωμένος περιστροφή- στα υλικά προδρόμων περιλαμβάνοντας τουλάχιστον μια ομάδα ΙΙ μέταλλο και τουλάχιστον μια ομάδα IV ή την ομάδα Β μέταλλο, χρήσιμο για τις λεπτές ταινίες οξειδίων, χρήσιμες, παραδείγματος χάριν, στις διάφορες ηλεκτρονικές συσκευές, όπως οι σιδηροηλεκτρικές συσκευές. Παραδείγματος χάριν, titanate στροντίου βάριου περιστροφή- στα υλικά προδρόμων είναι χρήσιμο για τις λεπτές ταινίες titanate στροντίου βάριου (ΒΣΤ) για, π.χ., τους σιδηροηλεκτρικούς πυκνωτές. Μια μέθοδος παρέχεται για την κατασκευή των ηλεκτρονικών συσκευών χρησιμοποιώντας τέτοια ΙΙ-ΟΜΑΔΑ IV ομάδας (ή τα οξείδια V) όπως την ενεργό συσκευή, που χρησιμοποιεί τα οξέα πολυαιθέρων. Η μέθοδος περιλαμβάνει: (α) παροχή ενός υποστρώματος (β) διαμόρφωση ενός κατώτατου ηλεκτροδίου στο υπόστρωμα (γ) καταθέτοντας μια λύση που περιλαμβάνει τα όξινα άλατα πολυαιθέρων της ομάδας ΙΙ και της ομάδας IV ή της ομάδας Β ιόντα μετάλλων (δ) διαμόρφωση της ταινίας οξειδίων από τη λύση και (ε) διαμορφώνοντας ένα κορυφαίο ηλεκτρόδιο στην ταινία οξειδίων. Συνεπεία της μεθόδου, οι βελτιωμένες ηλεκτρονικές συσκευές διαμορφώνονται από τους λιγότερο τοξικούς και ευκολότερους αντιμετωπισμένους προδρόμους και τους διαλύτες. Η παρούσα εφεύρεση προβλέπει μια διαλυτή ουσία περιστροφή- στον πρόδρομο που είναι συμβατός και διαλυτός στους μη τοξικούς και περιβαλλοντικά καλοκάγαθους διαλύτες. Επιπλέον, αυτό το περιστροφή-επάνω υλικό προδρόμων έχει αποδειχθεί για να δώσει τις πολύ βελτιωμένες ηλεκτρικές ιδιότητες απόδοσης των λεπτών ταινιών ΒΣΤ παραχθεισών.