A cleaning method in a semiconductor fabrication process includes providing a dilute composition consisting essentially of phosphoric acid and acetic acid and exposing a surface, e.g., aluminum, to the dilute composition. For example, the dilute composition includes phosphoric acid at a concentration of about 5% or less by volume and acetic acid at a concentration of about 30% or less by volume. Further, the cleaning method may use a composition comprising phosphoric acid and acetic acid, wherein the composition includes phosphoric acid at a concentration of X%, wherein X is about 5% by volume or less, and acetic acid at a concentration of about (100-X%) by volume or less. The cleaning method may be used, for example, in fabricating interconnect structures, aluminum containing structures, and multilevel interconnect structures. Cleaning compositions for use in the cleaning methods are also provided.

Un metodo di pulizia in un processo di montaggio a semiconduttore include fornire una composizione diluita che è fatta di essenzialmente l'acido fosforico e l'acido acetico e che espone una superficie, per esempio, alluminio, alla composizione diluita. Per esempio, la composizione diluita include l'acido fosforico ad una concentrazione di circa 5% o a di meno da volume e l'acido acetico ad una concentrazione di circa 30% o di meno da volume. Più ulteriormente, il metodo di pulizia può usare una composizione che contiene l'acido fosforico ed acido acetico, in cui la composizione include l'acido fosforico ad una concentrazione di X%, in cui la X è circa 5% da volume o di meno ed acido acetico ad una concentrazione di circa (100-X%) da volume o da di meno. Il metodo di pulizia può essere usato, per esempio, in strutture fabbricanti di interconnessione, alluminio che contengono le strutture e strutture multilivelli di interconnessione. Le composizioni in pulizia per uso nei metodi di pulizia inoltre sono fornite.

 
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> Method of forming materials between conductive electrical components, and insulating materials

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