Method and apparatus generate a mixture of the vapor of an organic liquid such as tetraethylorthosilicate (TEOS) and an inert gas such as helium. The ratio of organic vapor to inert gas in the mixture is accurately and continuously controlled as required in semiconductor manufacturing. The apparatus encloses a bubbler chamber which is filled with an organic liquid (e.g., TEOS) to a set level that is automatically maintained. The liquid is also maintained at an exact temperature (e.g., 75.degree. C.). Inert gas (e.g., helium) flows into the bubbler chamber at a controlled rate and continuously evaporates some of the liquid therein. The flow of liquid into the bubbler chamber is monitored by a liquid control circuit, and flow of gas is controlled by a gas control circuit. A feedback signal from the liquid control circuit to the gas control circuit incrementally adjusts gas flow into the bubbler chamber to keep the liquid therein at the set level.

O método e os instrumentos geram uma mistura do vapor de um líquido orgânico tal como o tetraethylorthosilicate (TEOS) e um gás inerte tal como o helium. A relação do vapor orgânico ao gás inerte na mistura é controlada exatamente e continuamente como necessário no manufacturing do semicondutor. O instrumento inclui uma câmara do bubbler que seja enchida com um líquido orgânico (por exemplo, TEOS) a um nível do jogo que seja mantido automaticamente. O líquido é mantido também em uma temperatura exata (por exemplo, 75.degree. C.). O gás inerte (por exemplo, helium) flui na câmara do bubbler em uma taxa controlada e evapora continuamente algum do líquido nisso. O fluxo do líquido na câmara do bubbler é monitorado por um circuito de controle líquido, e o fluxo do gás é controlado por um circuito de controle do gás. Um sinal de realimentação do circuito de controle líquido ao circuito de controle do gás ajusta incremental o fluxo do gás na câmara do bubbler para manter nisso o líquido no nível do jogo.