A semiconductor memory device includes: a capacitor formed on a substrate and including a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode; a selection transistor formed at the substrate; an electrically conductive plug for providing electrical connection between the selection transistor and the capacitor; and a diffusion barrier film provided between the electrically conductive plug and the lower electrode of the capacitor. The diffusion barrier film is a Ta.sub.x Si.sub.1-x N.sub.y film or a Hf.sub.x Si.sub.1-x N.sub.y film (where 0.2 Un dispositivo de memoria de semiconductor incluye: un condensador formó en un substrato e incluir un electrodo más bajo, una película dieléctrica y un electrodo superior; un transistor de la selección formó en el substrato; un enchufe eléctricamente conductor para proporcionar la conexión eléctrica entre el transistor de la selección y el condensador; y una película de la barrera de difusión proporcionó entre el enchufe eléctricamente conductor y el electrodo más bajo del condensador. La película de la barrera de difusión es una película de Ta.sub.x Si.sub.1-x N.sub.y o una película de Hf.sub.x Si.sub.1-x N.sub.y (donde 0.2