A CMOS-compatible FET has a reduced electron affinity polycrystalline or microcrystalline silicon oxycarbide (SiOC) gate that is electrically isolated (floating) or interconnected. The SiOC material composition is selected to establish a desired barrier energy between the SiOC gate and a gate insulator. In a memory application, such as a flash EEPROM, the SiOC composition is selected to establish a lower barrier energy to reduce write and erase voltages and times or accommodate the particular data charge retention time needed for the particular application. In a light detector or imaging application, the SiOC composition is selected to provide sensitivity to the desired wavelength of light. Unlike conventional photodetectors, light is absorbed in the floating gate, thereby ejecting previously stored electrons therefrom. Also unlike conventional photodetectors, the light detector according to the present invention is actually more sensitive to lower energy photons as the semiconductor bandgap is increased.

Fet CMOS-compatible имеет уменьшенный строб сродства электрона поликристаллический или микрокристаллический кремния oxycarbide (SiOC) электрически изолирован (плавающ) или соединен. Состав SiOC материальный выбран установить заданную энергию барьера между стробом SiOC и изолятором строба. В применении памяти, such as вспышка EEPROM, состав SiOC выбран установить более низкую энергию барьера для уменьшения пишет и стирает напряжения тока и времена или приспосабливает определенное время удерживания обязанности данных необходимое для определенного применения. В светлом применении детектора или воображения, состав SiOC выбран для того чтобы снабдить чувствительность заданная длина волны света. Не похоже на обычным фотодетекторам, свет поглощен в плавая стробе, таким образом выкидывая ранее, котор хранят электроны therefrom. Также не похоже на обычным фотодетекторам, светлый детектор согласно присытствыющему вымыслу фактическ более чувствительн к более низким фотонам энергии по мере того как bandgap полупроводника увеличено.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Apparatus and method of a low pressure, two-step nucleation tungsten deposition

> One-part dental compositions and methods for bleaching and desensitizing teeth

> (none)

~ 00019