An apparatus and method of tungsten via fill using a low pressure, 2-step nucleation tungsten deposition process. The tungsten via fill includes a silane soak, a nucleation film growth, and a bulk tungsten film deposition. The nucleation film growth is a low pressure, 2-step process including a controlled first nucleation film growth and a second nucleation film growth. A wafer fabricating system that includes a film depositing system and a control system is used. The film depositing system includes a reaction chamber with at least one silane-containing gas source, a tungsten-containing gas source, and a substrate heating source. The control system instructs the silane-containing gas source and the tungsten-containing gas source to flow with a significantly higher ratio of silane-containing gas (SiH.sub.4) to form a first silane-rich nucleation layer. The control system then instructs the gas sources to flow with a higher ratio of tungsten-containing gas, such as WF.sub.6, to form a second tungsten nucleation layer. The low pressure, 2-step process results with improved nucleation film step coverage.

Um instrumento e um método do tungstênio através da suficiência usando uma pressão baixa, processo do deposition do tungstênio do nucleation 2-step. O tungstênio através da suficiência inclui um silane embebe, um crescimento da película do nucleation, e um deposition maioria da película do tungstênio. O crescimento da película do nucleation é uma pressão baixa, processo 2-step including um primeiro crescimento controlado da película do nucleation e um segundo crescimento da película do nucleation. Um sistema fabricando do wafer que inclua um sistema depositando da película e um sistema de controle é usado. O sistema depositando da película inclui uma câmara da reação com ao menos uma fonte silane-contendo do gás, uma fonte tungstênio-contendo do gás, e uma fonte de heating da carcaça. O sistema de controle instrui a fonte silane-contendo do gás e a fonte tungstênio-contendo do gás para fluir com uma relação significativamente mais elevada do gás silane-contendo (SiH.sub.4) para dar forma a uma primeira camada silane-rica do nucleation. O sistema de controle instrui então as fontes do gás para fluir com uma relação mais elevada do gás tungstênio-contendo, tal como WF.sub.6, para dar forma a uma segunda camada do nucleation do tungstênio. A pressão baixa, resultados 2-step process com cobertura melhorada da etapa da película do nucleation.