An aluminum casting alloy contains

                0.5 to 2.0           w. % magnesium
                max. 0.15            w. % silicon
                0.5 to 2.0           w. % manganese
                max. 0.7             w. % iron
                max. 0.1             w. % copper
                max. 0.1             w. % zinc
                max. 0.2             w. % titanium
                0.1 to 0.6           w. % cobalt
                max. 0.8             w. % cerium
                0.5 to 0.5           w. % zirconium
                max. 1.1             w. % chromium
                max. 1.1             w. % nickel
                0.005 to 0.15        w. % vanadium
                max. 0.5             w. % hafnium
and aluminum as the remainder with further contaminants individually at 0.05 w. %, total max. 0.02 w. %. The aluminum casting alloy is particularly suitable for diecasting and thixocasting or thixoforging. One particular application is diecasting for components with high requirements for mechanical properties as these are already present in the casting state and thus no further heat treatment is required.

Un alliage de moulage d'aluminium contient 0.5 à 2.0 % du magnésium maximum de w.. 0.15 % du manganèse maximum de w. % du silicium de w. 0.5 à 2.0. 0.7 % du fer maximum de w.. 0.1 % de w. maximum de cuivre. 0.1 % du zinc maximum de w.. 0.2 % du cobalt maximum de w. % du titane de w. 0.1 à 0.6. 0.8 % du zirconium maximum de w. % du cérium de w. 0.5 à 0.5. 1.1 % du chrome maximum de w.. 1.1 % du vanadium maximum de w. % du nickel de w. 0.005 à 0.15. 0.5 % d'hafnium de w. et aluminium comme reste avec d'autres contaminants individuellement à 0.05 w. %, maximum total. 0.02 w. %. l'alliage de moulage d'aluminium est particulièrement approprié au coulage sous pression et à thixocasting ou à thixoforging. Une application particulière coule sous pression pour des composants avec des conditions élevées pour les propriétés mécaniques car ce sont déjà présentes dans l'état de bâti et aucun autre traitement thermique n'est exigé ainsi.

 
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> Process for forming shaped group III-V semiconductor nanocrystals, and product formed using process

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