A method of manufacturing a semiconductor device which has the steps of:
forming an insulated gate field effect transistor of a first conductivity
type on a semiconductor substrate; forming a first insulating film over
the semiconductor substrate, the first insulating film covering the
insulated gate electrode; forming a contact window through the first
insulating film to at least one of the source/drain regions; embedding a
metal plug in the contact window; forming a second insulating film having
an oxygen blocking function on the first insulating film, the second
insulating film covering the metal plug; forming a capacitor lower
electrode on the second insulating film; forming a dielectric oxide film
having a perovskite crystal structure on the lower electrode; annealing
the semiconductor substrate in an oxygen-containing atmosphere; and
forming a capacitor upper electrode on the dielectric oxide film. A
semiconductor device can be realized which has capacitors with dielectric
oxide films of a perovskite crystal structure having a high dielectric
constant.
Une méthode de fabriquer un dispositif de semi-conducteur a dont les étapes : en formant un transistor à effet de champ isolé de porte d'une première conductivité dactylographiez sur un substrat de semi-conducteur ; formation d'un premier film isolant au-dessus du substrat de semi-conducteur, le premier film isolant couvrant l'électrode de porte isolée ; formation d'une fenêtre de contact par le premier film isolant au moins à une des régions de source/drain ; en enfonçant un métal branchez la fenêtre de contact ; formant un deuxième film isolant ayant un oxygène bloquer la fonction sur le premier film isolant, le deuxième film isolant couvrant la prise en métal ; formation d'une électrode de condensateur plus bas sur le deuxième film isolant ; en formant un oxyde diélectrique filmez avoir une structure en cristal de perovskite sur l'électrode inférieure ; recuit du substrat de semi-conducteur dans une atmosphère oxygène-contenante ; et formant une électrode supérieure de condensateur sur le film diélectrique d'oxyde. On peut réaliser un dispositif de semi-conducteur qui a des condensateurs avec les films diélectriques d'oxyde d'une structure en cristal de perovskite ayant une constante diélectrique élevée.
