A semiconductor device simulator having a grid generator, a quasi-Fermi potential setting unit, a bias setting unit, a coefficient matrix and residual vector setting unit and a matrix calculator is disclosed. A grid generator defines a finite number of grid points inside and around a semiconductor device, and generates a plurality of grids. A quasi-Fermi potential setting unit sets said linear quasi-Fermi potentials, which is linearly changing, at each section inside the generated grid. A bias setting unit defines the terminal bias to be applied to predetermined electrode regions. A coefficient matrix and residual vector setting unit obtains carrier concentration inside each grid from the quasi-Fermi potential, and sets coefficient matrix/residual vector for the basic equations. A matrix calculator calculates this coefficient matrix, and accordingly obtains the solution for the Poisson's equation and the carrier continuity equations to obtain the device behavior. Furthermore, the device simulation method, the recording medium storing the program for causing the device simulator to function, and the manufacturing method for the semiconductor device using them are also disclosed.

Un simulador del dispositivo de semiconductor que tiene un generador de la rejilla, una unidad que fija potencial de cuasi-Quasi-Fermi, una unidad que fija diagonal, una matriz del coeficiente y vector residual fijando la unidad y una calculadora de la matriz se divulga. Un generador de la rejilla define un número finito de los puntos de rejilla dentro y alrededor de un dispositivo de semiconductor, y genera una pluralidad de rejillas. Un potencial de cuasi-Quasi-Fermi que fija los potenciales lineares dichos de cuasi-Quasi-Fermi de los sistemas de unidad, que está cambiando linear, en cada sección dentro de la rejilla generada. Una unidad que fija diagonal define el diagonal terminal que se aplicará a las regiones predeterminadas del electrodo. Una matriz del coeficiente y un vector residual que fijan la unidad obtiene la concentración de portador dentro de cada rejilla del potencial de cuasi-Quasi-Fermi, y fija el vector del coeficiente matrix/residual para las ecuaciones básicas. Una calculadora de la matriz calcula esta matriz del coeficiente, y obtiene por consiguiente la solución para que la ecuación del Poisson y las ecuaciones de la continuidad del portador obtengan el comportamiento del dispositivo. Además, el método de la simulación del dispositivo, el medio de la grabación que almacena el programa para hacer el simulador del dispositivo funcionar, y el método de fabricación para el dispositivo de semiconductor que las usa también se divulgan.