A multilayer mirror includes a multilayer reflection structure formed of an alternate repetition of a first epitaxial layer of a first refractive index and a second epitaxial layer of a second refractive index larger than the first refractive index, wherein the second epitaxial layer includes a group III-V mixed crystal containing N as a group V element.

Разнослоистое зеркало вклюает разнослоистую структуру отражения сформированную другого повторения первого эпитаксиального слоя первого рефрактивного индекса и второго эпитаксиального слоя второго рефрактивного индекса более большого чем первый рефрактивный индекс, при котором второй эпитаксиальный слой вклюает кристалл группы смешанный III-V содержа н как элемент группы v.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Hypothesis selection for evidential reasoning systems

> Method and apparatus for semiconductor device simulation with linerly changing quasi-fermi potential, medium storing program for the simulation, and manufacturing method for the semiconductor device

> (none)

~ 00018