A buried ridge semiconductor diode laser, preferably based on the GaAs and AlGaAs family of materials. The thin upper cladding layer is overlaid with an aluminum-free etch stop layer and an aluminum-free confinement layer, preferably of GaInP, of opposite conductivity type opposite that of the upper cladding layer. A trench is formed in the confinement layer extending down to the etch stop layer. Additional AlGaAs is regrown in the aperture to form a buried ridge. During the regrowth, no aluminum is exposed either at the bottom or on the sides of the aperture. The confinement layer is preferably lattice matched to the AlGaAs. The thin etch stop layer preferably has the same conductivity type and the same bandgap as the AlGaAs sandwiching it. For lasers producing shorter wavelength radiation, the aluminum content of the AlGaAs cladding layers is increased and some aluminum is added to the confinement layer but less than that of the cladding layers.

Ένα θαμμένο λέιζερ διόδων ημιαγωγών κορυφογραμμών, κατά προτίμηση βασισμένο στην οικογένεια gaAs και AlGaAs των υλικών. Το λεπτό ανώτερο στρώμα επένδυσης επιστρώνεται με έναν αργίλιο-ελεύθερο χαράζει το στρώμα στάσεων και ένα αργίλιο-ελεύθερο στρώμα περιορισμού, κατά προτίμηση GaInP, του αντίθετου τύπου αγωγιμότητας απέναντι από αυτόν του ανώτερου στρώματος επένδυσης. Μια τάφρος διαμορφώνεται στο στρώμα περιορισμού που επεκτείνεται κάτω χαράζει το στρώμα στάσεων. Πρόσθετο AlGaAs πρόκειται regrown στο άνοιγμα να διαμορφώσει μια θαμμένη κορυφογραμμή. Κατά τη διάρκεια regrowth, κανένα αργίλιο δεν εκτίθεται είτε στο κατώτατο σημείο είτε στις πλευρές του ανοίγματος. Το στρώμα περιορισμού είναι κατά προτίμηση δικτυωτό πλέγμα που αντιστοιχείται το AlGaAs. Ο λεπτός χαράζει το στρώμα στάσεων έχει κατά προτίμηση τον ίδιο τύπο αγωγιμότητας και το ίδιο bandgap με το AlGaAs στριμώχνοντας το. Για τα λέιζερ που παράγουν την πιό σύντομη ακτινοβολία μήκους κύματος, η περιεκτικότητα σε αργίλιο των στρωμάτων επένδυσης AlGaAs αυξάνεται και κάποιο αργίλιο προστίθεται στο στρώμα περιορισμού αλλά λιγότερο από αυτό των στρωμάτων επένδυσης.