A new method is provided to create metal bumps on a surface, metal contact pads have been provided in this surface. A layer of dielectric is deposited over a surface; an opening is created in the layer of dielectric that aligns with the contact pad. A barrier layer is deposited over the layer of dielectric including the inside of the opening; a seed layer is deposited over the barrier layer. The seed layer is selectively removed from above the layer of dielectric leaving the seed layer intact and deposited over the inside surfaces of the opening, the barrier layer is left intact over the layer of dielectric and inside the opening. Using Electrical Chemical Deposition (ECD) technology, the metal bump is now selectively grown thereby eliminating previously experienced disadvantages when creating metal bumps of decreased pitch and mask alignments and resolution.

Eine neue Methode wird zur Verfügung gestellt, um Metallstösse auf einer Oberfläche, Metallkontaktauflagen zu verursachen sind zur Verfügung gestellt worden in dieser Oberfläche. Eine Schicht Nichtleiter wird über einer Oberfläche niedergelegt; eine Öffnung wird in der Schicht des Nichtleiters verursacht, der mit der Kontaktauflage übereinstimmt. Eine Grenzschicht wird über der Schicht des Nichtleiters einschließlich das Innere der Öffnung niedergelegt; eine Samenschicht wird über der Grenzschicht niedergelegt. Die Samenschicht wird selektiv über von der Schicht des Nichtleiters die Samenschicht intakt verlassend entfernt und niedergelegt über den Innenflächen der Öffnung, wird die Grenzschicht intakt über der Schicht des Nichtleiters und des Inneres die Öffnung gelassen. Mit elektrischer chemischer Technologie der Absetzung (ECD) wird der Metallstoß jetzt selektiv gewachsen, beseitigt man dadurch vorher erfahrene Nachteile, wenn man Metallstösse des verringerten Taktabstandes und der Maskenjustierungen und der Auflösung verursacht.