A main electrode region of a semiconductor element is provided in a semiconductor region on the surface of a semiconductor substrate, and first and second interlayer insulating films are deposited on this semiconductor region. A metal interconnection is provided on top of the second interlayer insulating film. The main electrode region and the metal interconnection a shape having a first tapered portion with an isotropic taper angle .theta.3, which starts from the interface between the first and second interlayer insulating films, and a second tapered portion with an anisotropic taper angle .theta.4, which starts from a point within the second interlayer insulating film. As a result, the shape of the face of the contact plug connecting to the metal interconnection is anisotropic, having dimensions which are greater in the direction parallel to the metal interconnection than in the direction perpendicular to the metal interconnection. The shoulders of the contact hole which are parallel to the metal interconnection are smoothed by anisotropic recession caused by the second tapered portion. Therefore, barrier metal film can be deposited approximately evenly inside the contact hole. Since the diameter of the contact hole does not increase perpendicular to the metal interconnection due to the anisotropic taper angle .theta.4, the intervals between adjoining metal interconnections can be minimized. The metal interconnection and the contact plug can be comprised from the same conductor or different conductors. The metal interconnection may, for instance, be a DRAM bit line or the like.

Eine Hauptelektrode Region eines Halbleiterelements wird in einer Halbleiterzone auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrates zur Verfügung gestellt, und zuerst und isolierende Filme der zweiten Zwischenlage werden auf dieser Halbleiterzone niedergelegt. Eine Metallverbindung wird auf den isolierenden Film der zweiten Zwischenlage zur Verfügung gestellt. Die Hauptelektrode Region und die Metallverbindung eine Form, die eine erste hat, spitzten sich Teil mit einem isotropen Kegelzapfenwinkel theta.3 zu, dem Anfänge von der Schnittstelle isolierenden Filmen zwischen den der ersten und zweiten Zwischenlage und ein zweites Teil mit einem anisotropen Kegelzapfenwinkel theta.4 sich zuspitzten, das von einem Punkt innerhalb des isolierenden Filmes der zweiten Zwischenlage abfährt. Infolgedessen ist- die Form des Gesichtes des Kontaktsteckers, der an die Metallverbindung anschließt, anisotrop und hat Maße, die in der Richtung grösser sind, die zur Metallverbindung als im Richtung Senkrechten zur Metallverbindung parallel ist. Die Schultern der Kontaktbohrung, die zur Metallverbindung parallel sind, werden durch die anisotrope Rezession glatt gemacht, die durch den zweiten sich verjüngenden Teil verursacht wird. Folglich kann Sperre Metallfilm innerhalb der Kontaktbohrung ungefähr gleichmäßig niedergelegt werden. Da der Durchmesser der Kontaktbohrung Senkrechtes nicht auf die Metallverbindung wegen des anisotropen Kegelzapfenwinkel theta.4 erhöht, können die Abstände zwischen anliegenden Metallverbindungen herabgesetzt werden. Die Metallverbindung und der Kontaktstecker können vom gleichen Leiter oder von unterschiedlichen Leitern enthalten werden. Die Metallverbindung kann eine DRAM-Spitze Linie oder dergleichen zum Beispiel sein.