A semiconductor integrated circuit has a ferroelectric capacitor. The ferroelectric capacitor includes a first insulation film formed above a semiconductor substrate, a first electrode which is buried in a first hole formed in the first insulation film and whose surface is flattened, a second insulation film formed above the first insulation film and having a second hole above the first electrode, a ferroelectric film formed in the second hole, and a second electrode formed in the second hole and above the ferroelectric film and flattened so as to be flush with a surface of the second insulation film.

Um circuito integrado do semicondutor tem um capacitor ferroelectric. O capacitor ferroelectric inclui uma primeira película da isolação dada forma acima de uma carcaça do semicondutor, de um primeiro elétrodo que sejam enterrados em um primeiro furo dado forma na primeira película da isolação e o cujo a superfície seja aplainada, de uma segunda película da isolação dada forma acima da primeira película da isolação e de ter um segundo furo acima do primeiro elétrodo, uma película ferroelectric dada forma no segundo furo, e um segundo elétrodo dado forma no segundo furo e acima da película ferroelectric e aplainado para ser nivelado com uma superfície da segunda película da isolação.