A power transistor comprising a collector region formed in a semiconductor substrate, a base region formed within the collector region, and a hoop-shaped emitter region formed within the base region. The hoop-shaped emitter region divides the base region into an external section and at least one internal section surrounded by the emitter region on the substrate surface, the external and internal base sections being connected within the substrate. A base contact is formed on the surface of each internal base section surrounded by the emitter region. By this design, the electric current is more uniform within the emitter region, and safe operating area (SOA) destruction can be prevented. The invention is also directed to semiconductor integrated circuit devices using the above power transistor, and a method of forming the same.

Un transistor de puissance comportant une région de collecteur a formé dans un substrat de semi-conducteur, une région basse formée dans la région de collecteur, et une région cercle-formée d'émetteur formée dans la région basse. La région cercle-formée d'émetteur divise la région basse en section externe et au moins une section interne entourées par la région d'émetteur sur la surface de substrat, les sections basses externes et internes étant reliées dans le substrat. Un contact bas est formé sur la surface de chaque section basse interne entourée par la région d'émetteur. Par cette conception, le courant électrique est plus uniforme dans la région d'émetteur, et la destruction du secteur de fonctionnement sûr (SOA) peut être empêchée. L'invention est également dirigée vers des dispositifs de circuit intégré de semi-conducteur à l'aide du transistor de puissance ci-dessus, et une méthode de former la même chose.