A high performance circuit is formed by using a TFT with less fluctuation in characteristics, and a semiconductor device including such a circuit is formed. When the TFT is formed, first, a base film and a semiconductor film are continuously formed on a quartz substrate without exposing to the air. After the semiconductor film is crystallized by using a catalytic element, the catalytic element is removed. In the TFT formed in such a process, fluctuation in electrical characteristics such as a threshold voltage and a subthreshold coefficient is extremely small. Thus, it is possible to form a circuit, such as a differential amplifier circuit, which is apt to receive an influence of characteristic fluctuation of a TFT.

Um circuito do desempenho elevado é dado forma usando um TFT com menos flutuação nas características, e um dispositivo de semicondutor including tal circuito é dado forma. Quando o TFT é dado forma, o primeiros, uma película baixa e uma película do semicondutor estão dados forma continuamente em uma carcaça de quartzo sem expo ao ar. Depois que a película do semicondutor é cristalizada usando um elemento catalytic, o elemento catalytic está removido. No TFT dado forma em tal processo, a flutuação em características elétricas tais como uma tensão do ponto inicial e um coeficiente subthreshold são extremamente pequenos. Assim, é possível dar forma a um circuito, tal como um circuito do amplificador diferencial, que seja apt receber uma influência da flutuação característica de um TFT.