The present invention aims to provide a semiconductor device in which a satisfactory breakdown voltage can be obtained without increasing its chip size, and a method of manufacturing the same. A first electrode layer and a second electrode layer are formed. An inorganic type silicon oxide film is formed so as to cover first and second electrodes. An organic type silicon oxide film is formed on a surface of inorganic type silicon oxide film above a portion of a surface of first electrode layer. At a region of inorganic type silicon oxide film where organic type silicon oxide film is not formed, a through hole is formed, exposing a portion of a surface of second electrode layer. An interconnection layer is formed so as to be in contact with second electrode layer via through hole and opposing first electrode layer with inorganic and organic type silicon oxide films therebetween.

Η παρούσα εφεύρεση στοχεύει να παρέχει μια συσκευή ημιαγωγών στην οποία μια ικανοποιητική τάση διακοπής μπορεί να ληφθεί χωρίς την αύξηση του μεγέθους τσιπ της, και μια μέθοδο το ίδιο πράγμα. Ένα πρώτο στρώμα ηλεκτροδίων και ένα δεύτερο στρώμα ηλεκτροδίων διαμορφώνονται. Μια ανόργανη ταινία οξειδίων πυριτίου τύπων διαμορφώνεται ώστε να καλύψει πρώτα και δεύτερα ηλεκτρόδια. Μια οργανική ταινία οξειδίων πυριτίου τύπων διαμορφώνεται σε μια επιφάνεια της ανόργανης ταινίας οξειδίων πυριτίου τύπων επάνω από μια μερίδα μιας επιφάνειας του πρώτου στρώματος ηλεκτροδίων. Σε μια περιοχή της ανόργανης ταινίας οξειδίων πυριτίου τύπων όπου η οργανική ταινία οξειδίων πυριτίου τύπων δεν διαμορφώνεται, το α μέσω της τρύπας διαμορφώνεται, εκθέτοντας μια μερίδα μιας επιφάνειας του δεύτερου στρώματος ηλεκτροδίων. Ένα στρώμα διασύνδεσης διαμορφώνεται ώστε να είναι σε επαφή με το δεύτερο στρώμα ηλεκτροδίων μέσω μέσω της τρύπας και το αντιτιθέμενο πρώτο στρώμα ηλεκτροδίων με τις ανόργανες και οργανικές ταινίες οξειδίων πυριτίου τύπων.