A magnetoresistive memory element utilizing an enhanced proximity effect of ferromagnetic layers (ML) in a tri-layer configuration. A oscillatory decay characteristic of the pair wavefunction is expanded by using materials for the ML with a low Curie temperature and a small exchange field. As a result, the sum magnetic field of the alternetingly parallel and anti-parallel magnetized ML changes the critical temperature of the superconductor below and above the operational device temperature such that a passing read pulse remains unaltered at one of the two logical conditions stored within the device.

Een magnetoresistive geheugenelement dat een verbeterd nabijheidseffect van ferromagnetische lagen (ML) in een tri-laagconfiguratie gebruikt. Een oscillerend bederf kenmerkend van paarwavefunction wordt uitgebreid door materialen voor ml met een lage temperatuur van de Curie en een klein uitwisselingsgebied te gebruiken. Dientengevolge, verandert het som magnetische veld van alternetingly parallelle en anti-parallel gemagnetiseerde ml de kritieke temperatuur van de suprageleider onder en boven de operationele apparatentemperatuur dusdanig dat een voorbijgaande gelezen impuls bij één van de twee logische voorwaarden die binnen het apparaat worden opgeslagen onveranderd blijft.