A crystal silicon film deposited on an insulating film made of a binary system material or a binary system semiconductor film formed by an atomic layer deposition method has a grain as large as approximately 200 nm. Thus, the mobility of carriers is increased. The crystal silicon thereof is grown within a temperature range of 250.degree. C. to 400.degree. C. Accordingly, when a planar type thin film transistor, an inverted stagger type thin film transistor or a stagger type thin film transistor is formed using crystal silicon formed on these films made of a binary system material, transistor characteristics thereof are improved. Further, when an impurity containing silicon film is formed by a chemical vapor deposition method between a source electrode and a drain electrode of a thin film transistor and a silicon film connected to these electrodes, and a flow rate of impurity containing gas is regulated so that impurity density becomes larger as approaching to the source electrode and the drain electrode, a leakage current in an OFF-state of the transistor is reduced. Since the impurity containing silicon film is grown by a chemical vapor deposition method in this case, the impurity density thereof can be controlled easily and the control accuracy is also improved.

Una película cristalina del silicio depositada en una película aislador hecha de un material binario del sistema o una película binaria del semiconductor del sistema formada por un método atómico de la deposición de la capa tiene un grano tan grande como aproximadamente 200 nm. Así, la movilidad de portadores se aumenta. El silicio cristalino de eso se crece dentro de una gama de temperaturas de 250.degree. C. a 400.degree. C. Por consiguiente, cuando un tipo planar transistor de la película fina, invertido escalona el tipo transistor de la película fina o se forma un tipo transistor del escalonamiento de la película fina usando el silicio cristalino formado en estas películas hechas de un material binario del sistema, se mejoran las características del transistor de eso. Además, cuando una impureza que contiene la película del silicio es formada por un método de la deposición de vapor químico entre un electrodo de la fuente y un electrodo del dren de un transistor de la película fina y una película del silicio conectada con estos electrodos, y un caudal de la impureza se regula se reduce contener el gas de modo que la densidad de la impureza llegue a ser más grande como acercándose al electrodo de la fuente y al electrodo del dren, una corriente de la salida en un Apagado-estado del transistor. Desde la impureza contener la película del silicio es crecida por un método de la deposición de vapor químico en este caso, la densidad de la impureza de eso puede ser controlada fácilmente y la exactitud del control también se mejora.