A chemically amplified resist for electron beam lithography contains the following components: a polymer with dissolution-inhibiting groups that can be cleaved with acid catalysis, a photo-reactive compound, which upon electron irradiation releases a sulfonic acid with a pK.sub.a value .ltoreq.2.5 (photo acid generator), an electron-beam-sensitive sensitizer enhancing the exposure sensitivity of the resist, such as a fluorene derivative, and a solvent.

Químicamente amplificado resiste para la litografía del haz electrónico contiene los componentes siguientes: un polímero con los grupos disolucio'n-que inhiben que pueden ser hendidos con la catálisis ácida, un compuesto foto-reactivo, que sobre la irradiación del electrón lanza un ácido sulfonic con un ltoreq.2.5 del valor de pK.sub.a (generador ácido de la foto), un sensitizer electro'n-viga-sensible que realza la sensibilidad de la exposición del resistir, tal como un derivado del fluorene, y un solvente.